TP44220HB
| ： | TP44220HB |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Tagore Technology |
| ： | GANFET 2N-CH 65 |
| ： | - |
| ： | 托盘 |
| ： | 1 |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Tagore Technology |
| 系列 | - |
| 包裹 | 托盘 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 30-PowerWFQFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏源电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 55pF @ 400V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 236mOhm @ 500mA, 6V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 1.5nC @ 6V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 5.5mA |
| 供应商设备包 | 30-QFN (8x10) |
