STGAP2SICSACTR

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STGAP2SICSACTR
隔离器 - 栅极驱动器
STMicroelectronics
DGTL ISO 3.53KV
-
卷带式 (TR)
1
STGAP2SICSA
意法-ST
Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
STGAP2SICSAN
意法-ST
Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs


DGTL ISO 3.53KV 1CH GATE DVR 8SO

产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商STMicroelectronics
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
安装类型Surface Mount
工作温度-40°C ~ 125°C
电流 - 峰值输出4A
技术Capacitive Coupling
电压-隔离3530Vrms
审批机构UL
供应商设备包8-SO
上升/下降时间(典型值)30ns, 30ns
共模瞬态抗扰度(最小值)100V/ns
脉冲宽度失真(最大)20ns
年级Automotive
通道数1
电压 - 输出电源3.1V ~ 5.25V
资质AEC-Q100

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86-755-23814471
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