: | SSM6N24TU,LF |
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: | FET、MOSFET 阵列 |
: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
: | MOSFET 2N-CH 30 |
: | - |
: | 卷带式 (TR) |
: | 1 |
类型 | 描述 |
制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
系列 | U-MOSIII |
包裹 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 6-SMD, Flat Leads |
安装类型 | Surface Mount |
配置 | 2 N-Channel (Dual) |
工作温度 | 150°C |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
功率 - 最大 | 500mW (Ta) |
漏源电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 245pF @ 10V |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 145mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs(th)(最大值)@Id | 1.1V @ 100µA |
供应商设备包 | UF6 |