SQJQ900E-T1_GE3
| ： | SQJQ900E-T1_GE3 |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Vishay / Siliconix |
| ： | MOSFET 2N-CH 40 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 1 |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 75W |
| 漏源电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 5900pF @ 20V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 120nC @ 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| 年级 | Automotive |
| 资质 | AEC-Q101 |
