SQJB46ELP-T1_GE3

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SQJB46ELP-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列
Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 40
-
卷带式 (TR)
1


MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8

产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® SO-8 Dual
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大34W (Tc)
漏源电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C30A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2100pF @ 25V
Rds On(最大)@Id、Vgs8mOhm @ 8A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs40nC @ 10V
Vgs(th)(最大值)@Id2.2V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® SO-8 Dual
年级Automotive
资质AEC-Q101

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86-755-23814471
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