HN1B04FE-GR,LXHF
| ： | HN1B04FE-GR,LXHF |
|---|---|
| ： | 双极晶体管阵列 |
| ： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ： | AUTO AEC-Q PNP |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | SOT-563, SOT-666 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 功率 - 最大 | 100mW |
| 集电极电流 (Ic)（最大） | 150mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA (ICBO) |
| 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| 频率-转变 | 80MHz |
| 供应商设备包 | ES6 |
| 年级 | Automotive |
| 资质 | AEC-Q101 |
