GD10MPS12H

GD10MPS12H

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GD10MPS12H
单二极管
GeneSiC Semiconductor
DIODE SIL CARB
-
管子
1
GD10MPS12E
基因碳化硅-GeneSiC
SiC肖特基MPS™
GD10MPS12H
基因碳化硅-GeneSiC
SiC肖特基MPS™
GD10MPS12A
基因碳化硅-GeneSiC
SiC肖特基MPS™


DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商GeneSiC Semiconductor
系列SiC Schottky MPS™
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-2
安装类型Through Hole
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr)0 ns
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky
电流 - 平均整流 (Io)10A
供应商设备包TO-247-2
工作温度 - 结175°C
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)1200 V

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86-755-23814471
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