G075P02D5

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G075P02D5
单 FET、MOSFET
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 20
-
卷带式 (TR)
1


MOSFET P-CH 20V 45A DFN5*6-8L

产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C45A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id1V @ 250µA
供应商设备包8-DFN (4.9x5.75)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)2.5V, 4.5V
Vgs(最大)±12V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs44 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds4775 pF @ 10 V

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86-755-23814471
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