G06NP06S2
| ： | G06NP06S2 |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Goford Semiconductor |
| ： | MOSFET N/P-CH 6 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 1 |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-SOP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | N and P-Channel |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 2W (Tc), 2.5W (Tc) |
| 漏源电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 22nC @ 10V, 25nC @ 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
