DTA115EE3TL

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DTA115EE3TL
单个预偏置双极晶体管
ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS P
-
卷带式 (TR)
1
DTA115EE3
罗姆-ROHM
PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
DTA115EE3HZG
罗姆-ROHM
PNP, SOT-416, R1=R2 车载数字晶体管(内置偏置电阻的晶体管)


TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3

产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商ROHM Semiconductor
系列DTA114Y
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱SC-75, SOT-416
安装类型Surface Mount
晶体管类型PNP - Pre-Biased
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce68 @ 5mA, 5V
供应商设备包EMT3
集电极电流 (Ic)(最大)100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50 V
功率 - 最大150 mW
频率-转变250 MHz
电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)47 kOhms

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86-755-23814471
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