DMT35M4LPSW-13

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DMT35M4LPSW-13
单 FET、MOSFET
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
MOSFET BVDSS: 2
-
卷带式 (TR)
1
DMT35M4LPSW
达尔-Diodes
N-Channel Enhancement Mode MOSFET


MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs5.5mOhm @ 20A, 10V
功耗(最大)1.5W (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 250µA
供应商设备包PowerDI5060-8 (Type UX)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)30 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs16 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1029 pF @ 15 V

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86-755-23814471
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